Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5 Nej IPP023N10N5AKSA1
- RS-varenummer:
- 110-7116
- Producentens varenummer:
- IPP023N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 147,14
(ekskl. moms)
Kr. 183,924
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 + | Kr. 36,785 | Kr. 147,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 110-7116
- Producentens varenummer:
- IPP023N10N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 375W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 168nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Højde | 15.95mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 375W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 168nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, Pb-Free, JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Højde 15.95mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP023N10N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V TO-220, OptiMOS™ IPP023N08N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V TO-220, OptiMOS™-T IPP70N12S311AKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V TO-220, OptiMOS™ -T2 IPP120N08S403AKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP020N06NAKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP032N06N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP051N15N5AKSA1
