Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 214-4404
- Producentens varenummer:
- IPP023N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 144,96
(ekskl. moms)
Kr. 181,20
(inkl. moms)
Tilføj 20 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 445 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 28,992 | Kr. 144,96 |
| 25 - 45 | Kr. 26,942 | Kr. 134,71 |
| 50 - 120 | Kr. 25,208 | Kr. 126,04 |
| 125 - 245 | Kr. 23,488 | Kr. 117,44 |
| 250 + | Kr. 21,736 | Kr. 108,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4404
- Producentens varenummer:
- IPP023N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 133nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Bredde | 15.93 mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 133nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Bredde 15.93 mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS 5 MOSFET er ideel til højfrekvent omskiftning og synkron ensretning. Det kræver mindre parallelkobling.
Den har reduceret skift- og ledningstab
Den har lavspændings-oversving
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5