Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-9083
- Producentens varenummer:
- IPP052N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 98,00
(ekskl. moms)
Kr. 122,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.160 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,80 | Kr. 98,00 |
| 50 - 90 | Kr. 9,305 | Kr. 93,05 |
| 100 - 240 | Kr. 9,111 | Kr. 91,11 |
| 250 - 490 | Kr. 8,52 | Kr. 85,20 |
| 500 + | Kr. 7,944 | Kr. 79,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9083
- Producentens varenummer:
- IPP052N08N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler. Denne seneste generation af power MOSFET'er er specielt designet til synkron ensretning i tele- og serverstrømforsyninger.
Kvalificeret i henhold til JEDEC1 til målapplikationer
100 % avalanche-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 80 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2
- Infineon Type N-Kanal 100 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3