Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 214-4407
- Producentens varenummer:
- IPP051N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 61,93
(ekskl. moms)
Kr. 77,41
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 500 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 30,965 | Kr. 61,93 |
| 10 - 18 | Kr. 21,73 | Kr. 43,46 |
| 20 - 48 | Kr. 20,42 | Kr. 40,84 |
| 50 - 98 | Kr. 19,15 | Kr. 38,30 |
| 100 + | Kr. 18,885 | Kr. 37,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4407
- Producentens varenummer:
- IPP051N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 15.93mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 15.93mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 37 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 112 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5