Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5 Nej IPP051N15N5AKSA1
- RS-varenummer:
- 214-4407
- Producentens varenummer:
- IPP051N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 91,68
(ekskl. moms)
Kr. 114,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 45,84 | Kr. 91,68 |
| 10 - 18 | Kr. 32,09 | Kr. 64,18 |
| 20 - 48 | Kr. 30,255 | Kr. 60,51 |
| 50 - 98 | Kr. 27,975 | Kr. 55,95 |
| 100 + | Kr. 25,695 | Kr. 51,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4407
- Producentens varenummer:
- IPP051N15N5AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Længde | 10.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 15.93 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Længde 10.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 15.93 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.
Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP051N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 100 A 150 V TO-220, OptiMOS™ IPP075N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V TO-220, OptiMOS™ IPP023N08N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 50 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 112 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP076N15N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP111N15N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP023N10N5AKSA1
