Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*

Kr. 1.548,30

(ekskl. moms)

Kr. 1.935,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 500 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 30,966Kr. 1.548,30
100 - 200Kr. 29,417Kr. 1.470,85
250 +Kr. 27,559Kr. 1.377,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4406
Producentens varenummer:
IPP051N15N5AKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-220

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

15.93mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.2mm

Højde

4.4mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon OptiMOS MOSFET tilbyder det nyeste R DS (ON) af en rende MOSFET sammen med det brede sikre driftsområde af en klassisk planar MOSFET.

Den er ideel til anvendelser med hot-swap og e-sikring

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.