Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 906-2919
- Producentens varenummer:
- IPP020N06NAKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 167,85
(ekskl. moms)
Kr. 209,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 155 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 33,57 | Kr. 167,85 |
| 25 - 45 | Kr. 30,19 | Kr. 150,95 |
| 50 - 120 | Kr. 28,20 | Kr. 141,00 |
| 125 - 245 | Kr. 26,194 | Kr. 130,97 |
| 250 + | Kr. 24,504 | Kr. 122,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-2919
- Producentens varenummer:
- IPP020N06NAKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 106nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 106nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 150 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, OptiMOS