Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 969,40

(ekskl. moms)

Kr. 1.211,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 19,388Kr. 969,40

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-9087
Producentens varenummer:
IPP120N08S403AKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS-T2

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.45mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Bredde

4.57 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Produktet er AEC Q101-kvalificeret

Den har en driftstemperatur på 175 °C.

100 % lavine-testet

Relaterede links