Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9096
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 745,00
(ekskl. moms)
Kr. 931,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 14,90 | Kr. 745,00 |
| 100 - 200 | Kr. 11,92 | Kr. 596,00 |
| 250 - 450 | Kr. 11,175 | Kr. 558,75 |
| 500 - 950 | Kr. 10,43 | Kr. 521,50 |
| 1000 + | Kr. 9,685 | Kr. 484,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9096
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3