Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101 IPP70N12S311AKSA1
- RS-varenummer:
- 214-9097
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 169,80
(ekskl. moms)
Kr. 212,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 30. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 16,98 | Kr. 169,80 |
| 50 - 90 | Kr. 16,134 | Kr. 161,34 |
| 100 - 240 | Kr. 15,454 | Kr. 154,54 |
| 250 - 490 | Kr. 14,773 | Kr. 147,73 |
| 500 + | Kr. 13,756 | Kr. 137,56 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9097
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 4.57 mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 4.57 mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V TO-220, OptiMOS™-T IPP70N12S311AKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V DPAK (TO-252), OptiMOS™-T IPD70N12S311ATMA1
- Infineon N-Kanal 120 A 120 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP041N12N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V TO-220, OptiMOS™ IPP023N08N5AKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 30 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP042N03LGXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP048N04NGXKSA1
- Infineon N-Kanal 70 A 80 V TO-220, OptiMOS™ 3 IPP100N08N3GXKSA1
- Infineon N-Kanal 120 A 100 V TO-220, OptiMOS™ 5 IPP023N10N5AKSA1
