Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 70 A 120 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9097
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 149,00
(ekskl. moms)
Kr. 186,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 14,90 | Kr. 149,00 |
| 50 - 90 | Kr. 14,152 | Kr. 141,52 |
| 100 - 240 | Kr. 13,561 | Kr. 135,61 |
| 250 - 490 | Kr. 12,963 | Kr. 129,63 |
| 500 + | Kr. 12,073 | Kr. 120,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9097
- Producentens varenummer:
- IPP70N12S311AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 70A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 120V | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 11.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 51nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A | ||
Drain source spænding maks. Vds 120V | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 11.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 51nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 40 V Forbedring TDSON, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 30 V Forbedring TO-220, OptiMOS 3