Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 100 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-9085
- Producentens varenummer:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 919,15
(ekskl. moms)
Kr. 1.148,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 350 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 18,383 | Kr. 919,15 |
| 100 - 200 | Kr. 17,831 | Kr. 891,55 |
| 250 + | Kr. 17,096 | Kr. 854,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-9085
- Producentens varenummer:
- IPP100N08S2L07AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 182nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 9.45mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 182nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 9.45mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon-serien tilbyder en stor og omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter CoolMOS-, OptiMOS- og strong IRFET-serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Produktet er AEC Q101-kvalificeret
Den har en driftstemperatur på 175 °C.
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 55 V Forbedring TO-220, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 75 A 200 V Forbedring TO-220, OptiMOS 6 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS AEC-Q101