Infineon Type P-Kanal, Effekttransistor, 120 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS P AEC
- RS-varenummer:
- 145-9267
- Producentens varenummer:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 1.063,35
(ekskl. moms)
Kr. 1.329,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.100 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 21,267 | Kr. 1.063,35 |
| 100 - 200 | Kr. 20,203 | Kr. 1.010,15 |
| 250 - 450 | Kr. 19,14 | Kr. 957,00 |
| 500 + | Kr. 18,078 | Kr. 903,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-9267
- Producentens varenummer:
- IPP120P04P4L03AKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 136W | |
| Portkildespænding maks. | ±16 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.4 mm | |
| Længde | 10mm | |
| Højde | 15.65mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 136W | ||
Portkildespænding maks. ±16 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.4 mm | ||
Længde 10mm | ||
Højde 15.65mm | ||
Standarder/godkendelser AEC, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC | ||
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, OptiMOS P AEC
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q IPB120P04P4L03ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5 Nej
- Infineon Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-220, OptiMOS 5 Nej IPP023N10N5AKSA1
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, OptiMOS P AEC-Q IPD50P04P413ATMA1