Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 124-8767
- Producentens varenummer:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 24.047,50
(ekskl. moms)
Kr. 30.060,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 9,619 | Kr. 24.047,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8767
- Producentens varenummer:
- IPD90P04P4L04ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 135nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS P | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 135nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er
InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.
Enhancement mode
Avalanche nominel
Lav kobling og ledende effekttab
Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS
Standardpakker
OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90P03P404ATMA2
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1
- Infineon P-Kanal 70 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD042P03L3GATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD90N04S4L04ATMA1
- Infineon N-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ 3 IPD036N04LGBTMA1
- Infineon P-Kanal 85 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD85P04P4L06ATMA2
