Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 11.550,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.450,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 26. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,62Kr. 11.550,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-6872
Producentens varenummer:
IPD042P03L3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

70A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TO-252

Serie

OptiMOS P

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

6.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

131nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.73mm

Højde

2.41mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

5.97 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™P P-kanals Power MOSFET'er


InfineonOptiMOS™ P-kanal effekt MOSFET'er er designet til at give forbedrede funktioner der opfylder krav til ydeevne. Funktioner omfatter ultra-lavt skiftetab, modstand i ledetilstand, lavineeffekter såvel som AEC-kvalificeret til autoløsninger. Anvendelser omfatter dc-dc, motorstyring, biler og eMobility.

Enhancement mode

Avalanche nominel

Lav kobling og ledende effekttab

Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Standardpakker

OptiMOS™ P-kanal serien: temperaturområde fra -55 °C til +175 °C

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links