Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P

RS-varenummer:: 165-6872
Producentens varenummer:: IPD042P03L3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS P

Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*

Kr. 11.550,00

(ekskl. moms)

Kr. 14.450,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 17. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 4,62	Kr. 11.550,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 165-6872
Producentens varenummer:: IPD042P03L3GATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	70A
	Drain source spænding maks. Vds	30V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	OptiMOS P
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	6.8mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	150W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	131nC
	Gennemgangsspænding Vf	-1.1V
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	6.73mm
	Højde	2.41mm
	Bredde	5.97mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 70A
	Drain source spænding maks. Vds 30V
	Emballagetype TO-252
	Serie OptiMOS P
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 6.8mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 150W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 131nC
	Gennemgangsspænding Vf -1.1V
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 6.73mm
	Højde 2.41mm
	Bredde 5.97mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P seriens MOSFET, 30 V maksimal drain source-spænding, 70 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD042P03L3GATMA1

Denne MOSFET er en P-kanal-forstærket effekttransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves høj strømstyrke og et robust termisk driftsområde. Den fungerer som en højtydende koblingsenhed i strømkonverterings- og belastningsstyringskredsløb, hvilket giver lavt ledningstab og kontrolleret gate-drive-adfærd til krævende elektroniske systemer.

Egenskaber og fordele:

• 6,8 mΩ RDS(on) minimerer ledningstab for forbedret effektivitet
• 70 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter omskiftning af kraftig belastning
• 150 W effekttab muliggør vedvarende termisk håndtering
• 131 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd
• Driftsområde fra -55 °C til 175 °C muliggør anvendelse ved høje temperaturer
• VGS ±20 V mærkeværdi sikrer fleksibilitet i gate-drevspænding

Anvendelser

• Velegnet til synkron ensretning i DC-DC-omformere
• Ideel til skift af højstrømsbelastning i strømforsyninger
• Anvendes sammen med motordrev, der kræver lav ledningsmodstand
• Kan bruges til batteristyring og beskyttelseskredsløb
• Velegnet til overflademonterede strømmoduler med høj tæthed

Hvilken hustype skal jeg forvente med hensyn til printkortlayout?

Enheden leveres i en TO-252-pakke til overflademontering med tre ben, hvilket muliggør kompakt kortplacering og ruting med termisk pad.

Hvordan håndterer enheden gate-drivspændinger under drift?

Den maksimale gate-source-spænding er ±20 V, så gate-drivere skal specificeres inden for denne grænse for at undgå overbelastning.

Hvad er den maksimale spænding, som denne transistor kan blokere?

Den er mærket til en maksimal drain-source-spænding på 30 V, hvilket definerer dens egnethed til lavspændingssystemer.

Er der begrænsninger for fremadgående spænding under ledning?

Den typiske fremadgående spænding er -1,1 V, hvilket påvirker beregninger af ledningstab i kredsløbsdesign.