Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 753-3018
- Producentens varenummer:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 83,03
(ekskl. moms)
Kr. 103,79
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 37.320 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | Kr. 8,303 | Kr. 83,03 |
| 30 - 120 | Kr. 6,358 | Kr. 63,58 |
| 130 - 620 | Kr. 5,176 | Kr. 51,76 |
| 630 - 1240 | Kr. 5,027 | Kr. 50,27 |
| 1250 + | Kr. 4,907 | Kr. 49,07 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 753-3018
- Producentens varenummer:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS™T Power mosfet'er
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 30 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 19 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101