Infineon N-Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 911-4997
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-08-789
- Producentens varenummer:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*
Kr. 8.320,00
(ekskl. moms)
Kr. 10.400,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 35.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,328 | Kr. 8.320,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 911-4997
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-08-789
- Producentens varenummer:
- IPD30N10S3L34ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 42mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 24nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 57W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Bredde | 6.22mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 42mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 24nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 57W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Bredde 6.22mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS™T Power mosfet'er
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
Automotiv AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 30 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 35 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-252, OptiMOS-T AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 75 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, OptiMOS AEC-Q101