Infineon 2 N-Kanal Isoleret, MOSFET, 950 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, OptiMOS 2 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 250 enheder)*

Kr. 303,50

(ekskl. moms)

Kr. 379,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 6.250 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
250 +Kr. 1,214Kr. 303,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
827-0115
Producentens varenummer:
BSD235NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

950mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SC-88

Serie

OptiMOS 2

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

600mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

0.32nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

500mW

Portkildespænding maks.

-12V, +12V

Gennemgangsspænding Vf

0.9V

Transistorkonfiguration

Isoleret

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

1.25mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

2mm

Højde

0.8mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 2 seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 600 mΩ maksimal drain source-modstand - BSD235NH6327XTSA1


Denne MOSFET er en kompakt, overflademonteret N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og strømstyringsopgaver i bil- og industrielle miljøer. Den fungerer som en forstærkningsenhed med en isoleret transistorkonfiguration og er beregnet til anvendelser, der kræver lav gate-ladningskontakt og termisk holdbarhed ved høje temperaturer.

Egenskaber og fordele:


• 20 V maksimal afløbsspænding muliggør sikker lavspændingsswitching
• 600 mΩ RDS(on) reducerer ledningstab under drift
• 0.32 nC typisk gate-ladning giver hurtig, energiskarm skift
• 950 mA kontinuerlig afløbsstrøm understøtter beskedne belastningsstrømme
• 500 mW effekttab muliggør vedvarende drift under belastning
• AEC-Q101-kvalifikation passer til test af bilelektronik

Anvendelser


• Velegnet til omskiftning af forsyningsskinne i bilmoduler
• Ideel til belastningsswitching i styreenheder
• Anvendes til gate-drivere og sekundære strømtrin
• Kan bruges til kompakt strømstyring i allestedsnærværende SMD-design
• Velegnet til 2-kanals omskiftning i sensorinterfaces

Hvilke grænser for portdrev skal overholdes for sikker drift?


Enheden accepterer gate-source-spændinger op til maks. 12 V

sikrer, at drevkredsløb forbliver inden for denne grænse for at undgå gate-oxidbelastning.

Hvordan påvirker det termiske område placeringen i design?


Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver mulighed for placering tæt på varmegenererende komponenter, men stadig kræver termisk hensyn til printkobberareal og luftstrøm for at håndtere 500 mW tab.

Hvor mange diskrete elementer er anbragt på indsatsen?


Chippen indeholder to elementer, der er nyttige, når der er behov for parrede koblingskanaler i en enkelt pakke.

Hvilke fysiske pakkebegrænsninger påvirker printkortlayout?


Komponenten leveres i en SC-88-pakke med seks ben, så planlægning af fodaftryk skal rumme det lille SMD-stiftarray og afstand til loddefileter.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.