Infineon N-Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-7507
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-24-004
- Producentens varenummer:
- BSS138NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20000 flere for at gemme Kr. 360,00
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 10000 enheder)*
Kr. 3.630,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.540,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 160.000 enhed(er) afsendes fra 19. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 10000 - 10000 | Kr. 0,363 | Kr. 3.630,00 | - |
| 20000 - 20000 | Kr. 0,345 | Kr. 3.450,00 | Kr. 360,00 |
| 30000 + | Kr. 0,323 | Kr. 3.230,00 | Kr. 1.200,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-7507
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-24-004
- Producentens varenummer:
- BSS138NH6433XTMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 830mV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 830mV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 170 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS