Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS
- RS-varenummer:
- 214-4476
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-427
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 200 enheder)*
Kr. 93,40
(ekskl. moms)
Kr. 116,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 0,467 | Kr. 93,40 |
| 400 - 800 | Kr. 0,443 | Kr. 88,60 |
| 1000 - 1800 | Kr. 0,425 | Kr. 85,00 |
| 2000 - 4800 | Kr. 0,406 | Kr. 81,20 |
| 5000 + | Kr. 0,378 | Kr. 75,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4476
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-427
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne Infineon SIPMOS MOSFET lille signal MOSFET er ideel til anvendelser med begrænset plads i biler og/eller uden brug af biler. De findes i næsten alle anvendelser, f.eks. batteribeskyttelse, batteriopladning, LED-belysning osv.
Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS
- Infineon Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 170 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101