Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (200 enheder, i en pakke med 200)*

Kr. 168,80

(ekskl. moms)

Kr. 211,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
200 - 200Kr. 0,844Kr. 168,80
400 - 800Kr. 0,802Kr. 160,40
1000 - 1800Kr. 0,768Kr. 153,60
2000 - 4800Kr. 0,734Kr. 146,80
5000 +Kr. 0,684Kr. 136,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4476
Elfa Distrelec varenummer:
304-39-427
Producentens varenummer:
SN7002NH6327XTSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SIPMOS

Emballagetype

SOT-23

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

60V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, AEC Q101

Bilindustristandarder

Nej

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V drain source spænding, 5 Ω drain source modstand - SN7002NH6327XTSA2


Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med lille signal, der er designet til koblings- og styringsopgaver i overflademonterede enheder. Den fungerer som en forstærkningsenhed og er bygget til at modstå et bredt omgivende område, hvilket gør den velegnet til elektronik, der kræver kompakte, termisk modstandsdygtige koblingskomponenter.

Egenskaber og fordele:


• 60 V afløbsspænding for højspændingskontaktkapacitet
• 5 Ω Rds(on) muliggør kontrolleret lavstrømsledning
• 200 mA kontinuerlig drenstrøm til små signalbelastninger
• 1,2 V fremadgående spænding, der understøtter forudsigeligt diodefald
• 1.5 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 0,36 W effekttab for moderat termisk belastning

Anvendelser


• Velegnet til batteristyringssignalomskiftningskredsløb
• Ideel til strømføring med lav strømstyrke i forbrugerelektronik
• Anvendes sammen med små motor-driver-interfacekredsløb
• Kan bruges til niveauskiftning og signalmultiplexing
• Velegnet til sensorkonditionering og signalisolationsopgaver

Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printkortmontering?


Den leveres i en SOT-23-pakke og er beregnet til overflademonteret placering.

Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer i barske miljøer?


Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver stabilitet til forskellige termiske forhold.

Hvilke grænser for port- og afløbsspænding skal overholdes under designet?


Gate-til-kilde- og drain-til-kilde-spændingerne er begge begrænset til 60 V, hvilket definerer de maksimalt anvendte spændinger.

Er der branche- eller processtandarder forbundet med komponenten?


Den er i overensstemmelse med IEC 61249-2-21 og opfylder AEC Q101 for bilkvalitetsækvivalens.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.