Infineon N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS
- RS-varenummer:
- 214-4476
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-427
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (200 enheder, i en pakke med 200)*
Kr. 168,80
(ekskl. moms)
Kr. 211,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 200 - 200 | Kr. 0,844 | Kr. 168,80 |
| 400 - 800 | Kr. 0,802 | Kr. 160,40 |
| 1000 - 1800 | Kr. 0,768 | Kr. 153,60 |
| 2000 - 4800 | Kr. 0,734 | Kr. 146,80 |
| 5000 + | Kr. 0,684 | Kr. 136,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4476
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-39-427
- Producentens varenummer:
- SN7002NH6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 60V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 60V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V drain source spænding, 5 Ω drain source modstand - SN7002NH6327XTSA2
Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med lille signal, der er designet til koblings- og styringsopgaver i overflademonterede enheder. Den fungerer som en forstærkningsenhed og er bygget til at modstå et bredt omgivende område, hvilket gør den velegnet til elektronik, der kræver kompakte, termisk modstandsdygtige koblingskomponenter.
Egenskaber og fordele:
• 60 V afløbsspænding for højspændingskontaktkapacitet
• 5 Ω Rds(on) muliggør kontrolleret lavstrømsledning
• 200 mA kontinuerlig drenstrøm til små signalbelastninger
• 1,2 V fremadgående spænding, der understøtter forudsigeligt diodefald
• 1.5 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 0,36 W effekttab for moderat termisk belastning
• 5 Ω Rds(on) muliggør kontrolleret lavstrømsledning
• 200 mA kontinuerlig drenstrøm til små signalbelastninger
• 1,2 V fremadgående spænding, der understøtter forudsigeligt diodefald
• 1.5 nC typisk portladning for hurtigere portovergange
• 0,36 W effekttab for moderat termisk belastning
Anvendelser
• Velegnet til batteristyringssignalomskiftningskredsløb
• Ideel til strømføring med lav strømstyrke i forbrugerelektronik
• Anvendes sammen med små motor-driver-interfacekredsløb
• Kan bruges til niveauskiftning og signalmultiplexing
• Velegnet til sensorkonditionering og signalisolationsopgaver
• Ideel til strømføring med lav strømstyrke i forbrugerelektronik
• Anvendes sammen med små motor-driver-interfacekredsløb
• Kan bruges til niveauskiftning og signalmultiplexing
• Velegnet til sensorkonditionering og signalisolationsopgaver
Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printkortmontering?
Den leveres i en SOT-23-pakke og er beregnet til overflademonteret placering.
Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer i barske miljøer?
Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket giver stabilitet til forskellige termiske forhold.
Hvilke grænser for port- og afløbsspænding skal overholdes under designet?
Gate-til-kilde- og drain-til-kilde-spændingerne er begge begrænset til 60 V, hvilket definerer de maksimalt anvendte spændinger.
Er der branche- eller processtandarder forbundet med komponenten?
Den er i overensstemmelse med IEC 61249-2-21 og opfylder AEC Q101 for bilkvalitetsækvivalens.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 170 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
