Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.137,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.422,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,379Kr. 1.137,00
6000 - 12000Kr. 0,36Kr. 1.080,00
15000 +Kr. 0,345Kr. 1.035,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4475
Producentens varenummer:
SN7002NH6327XTSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

60 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

IEC61249-2-21, AEC Q101

Bilindustristandarder

Nej

Denne Infineon SIPMOS MOSFET lille signal MOSFET er ideel til anvendelser med begrænset plads i biler og/eller uden brug af biler. De findes i næsten alle anvendelser, f.eks. batteribeskyttelse, batteriopladning, LED-belysning osv.

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links