Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101 BSS127H6327XTSA2
- RS-varenummer:
- 753-2832
- Producentens varenummer:
- BSS127H6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 41,75
(ekskl. moms)
Kr. 52,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | Kr. 1,67 | Kr. 41,75 |
| 250 - 600 | Kr. 1,152 | Kr. 28,80 |
| 625 - 1225 | Kr. 1,071 | Kr. 26,78 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,002 | Kr. 25,05 |
| 2500 + | Kr. 0,751 | Kr. 18,78 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 753-2832
- Producentens varenummer:
- BSS127H6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.65nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.3 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.65nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.3 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V SOT-23, SIPMOS® BSS127H6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Depletion SOT-23, SIPMOS® BSS126IXTSA1
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Depletion SOT-23, SIPMOS® BSS126H6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS7728NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS138NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® SN7002NH6327XTSA2
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V SOT-23, SIPMOS® BSS131H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V SOT-23, SIPMOS® BSS138NH6433XTMA1
