Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 827-0070
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-424
- Producentens varenummer:
- BSS131H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 250 enheder)*
Kr. 305,25
(ekskl. moms)
Kr. 381,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | Kr. 1,221 | Kr. 305,25 |
| 500 - 1000 | Kr. 0,647 | Kr. 161,75 |
| 1250 - 2250 | Kr. 0,61 | Kr. 152,50 |
| 2500 - 6000 | Kr. 0,561 | Kr. 140,25 |
| 6250 + | Kr. 0,525 | Kr. 131,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 827-0070
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-424
- Producentens varenummer:
- BSS131H6327XTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 20Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.81V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 360mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 20Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.81V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 360mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 260 mA 240 V Forbedring SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 170 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101