Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.266,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.584,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 72.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,422Kr. 1.266,00
6000 - 12000Kr. 0,401Kr. 1.203,00
15000 +Kr. 0,384Kr. 1.152,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
214-4336
Producentens varenummer:
BSS7728NH6327XTSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Bredde

1.4 mm

Længde

3.04mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon SIPMOS MOSFET lille signal MOSFET er ideel til anvendelser med begrænset plads i biler og/eller uden brug af biler. De findes i næsten alle anvendelser, f.eks. batteribeskyttelse, batteriopladning, LED-belysning osv.

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links