Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Indhold (1 pakke af 200 enheder)*

Kr. 126,20

(ekskl. moms)

Kr. 157,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 38.600 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
200 +Kr. 0,631Kr. 126,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4337
Producentens varenummer:
BSS7728NH6327XTSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

SOT-23

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1nC

Effektafsættelse maks. Pd

0.36W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

1.12mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.04mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon SIPMOS MOSFET lille signal MOSFET er ideel til anvendelser med begrænset plads i biler og/eller uden brug af biler. De findes i næsten alle anvendelser, f.eks. batteribeskyttelse, batteriopladning, LED-belysning osv.

Den er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.