Infineon N-Kanal, MOSFET, 260 mA 240 V Forbedring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 752-8249
- Producentens varenummer:
- BSS87H6327FTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 38,67
(ekskl. moms)
Kr. 48,34
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.000 enhed(er) afsendes fra 11. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 3,867 | Kr. 38,67 |
| 100 - 240 | Kr. 3,673 | Kr. 36,73 |
| 250 - 490 | Kr. 3,598 | Kr. 35,98 |
| 500 - 990 | Kr. 3,366 | Kr. 33,66 |
| 1000 + | Kr. 2,124 | Kr. 21,24 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8249
- Producentens varenummer:
- BSS87H6327FTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 190 mA 250 V Forbedring SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 1.8 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101