Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 260 mA 240 V Forbedring, 3 Ben, SOT-89, SIPMOS AEC-Q101 BSS87H6327FTSA1
- RS-varenummer:
- 752-8249
- Producentens varenummer:
- BSS87H6327FTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 18,85
(ekskl. moms)
Kr. 23,56
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 590 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,885 | Kr. 18,85 |
| 100 - 240 | Kr. 1,788 | Kr. 17,88 |
| 250 - 490 | Kr. 1,75 | Kr. 17,50 |
| 500 - 990 | Kr. 1,646 | Kr. 16,46 |
| 1000 + | Kr. 1,04 | Kr. 10,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 752-8249
- Producentens varenummer:
- BSS87H6327FTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 240V | |
| Emballagetype | SOT-89 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.5 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 240V | ||
Emballagetype SOT-89 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.5 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 190 mA 250 V SOT-89, SIPMOS® BSS192PH6327FTSA1
- Infineon P-Kanal 260 mA 250 V SOT-223, SIPMOS® BSP92PH6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® BSP88H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V SOT-23, SIPMOS® BSS131H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6906XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® BSP129H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 350 mA 240 V SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP89H6327XTSA1
- Infineon N-Kanal 280 mA 240 V Depletion SOT-223, SIPMOS® AEC-Q101 BSP129H6906XTSA1
