Infineon N-Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.932,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.415,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 9.000 enhed(er) afsendes fra 16. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 0,644Kr. 1.932,00
6000 - 12000Kr. 0,612Kr. 1.836,00
15000 +Kr. 0,573Kr. 1.719,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
165-5867
Producentens varenummer:
BSS131H6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

110mA

Drain source spænding maks. Vds

240V

Emballagetype

SOT-23

Serie

SIPMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

360mW

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2.1nC

Gennemgangsspænding Vf

810mV

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.9mm

Højde

1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1.3mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 240 V maksimal drain-kildespænding, 110 mA maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSS131H6327XTSA1


Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-forstærkningstransistor, der er designet til overflademonteret strømomskifter i kompakt elektronik. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og er beregnet til anvendelser, der kræver kontrolleret drain-kilde-ledning med en moderat kontinuerlig strømkapacitet.

Egenskaber og fordele:


• 240 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 110 mA kontinuerlig afløbskapacitet understøtter lavstrømsbelastninger
• 20 V gate-source-grænse beskytter mod overdreven gate-belastning
• 20 Ω maks. RDS(on) forenkler termisk styring ved lave strømme
• 2.1 nC typisk gate-ladning reducerer krav til drevenergi
• 360 mW effekttab passer til små formfaktortermiske rammebeløb

Anvendelser


• Velegnet til sensorswitching i biler
• Ideel til batteristyringskredsløb
• Anvendes til lavstrøms motor-driver-gate-trin
• Kan bruges til niveauskift og beskyttelsesfunktioner
• Anvendes sammen med håndholdte og bærbare instrumenter

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den til printkortmontering?


Den leveres i en SOT-23-pakke konfigureret til overflademonteret placering, der passer til automatiserede loddeprocesser.

Hvilke miljømæssige ekstremer kan den modstå under drift?


Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C for at rumme brede termiske udslag.

Hvor kompakt er enheden til pladsbegrænsede design?


Pakkens bundareal måler 2,9 mm i længde og 1,3 mm i bredde, mens komponenthøjden er 1,0 mm til anvendelser med trang layout.

Opfylder den en bilkvalifikationsstandard til brug i køretøjer?


Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-bilstandarden for halvlederbelastningsskærmning.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.