Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-7534
- Producentens varenummer:
- BSS127H6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.289,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.862,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,763 | Kr. 2.289,00 |
| 6000 - 12000 | Kr. 0,725 | Kr. 2.175,00 |
| 15000 + | Kr. 0,679 | Kr. 2.037,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-7534
- Producentens varenummer:
- BSS127H6327XTSA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 600Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.65nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 500mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 820mV | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.3mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 600Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.65nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 500mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 820mV | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.3mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 600 V drain source spænding, 21 mA kontinuerlig drain strøm - BSS127H6327XTSA2
Denne MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til overflademonteret omskiftning i kompakte elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og er velegnet til anvendelser, der kræver en robust enhed med lille størrelse og kontrollerede gate-drive-egenskaber.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-til-kilde-modstand giver højspændingskontaktkapacitet
• 0.65 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med lavere tab
• 600 Ω maksimal RDS(on) reducerer lækage i slukket tilstand i højspændingskredsløb
• 21 mA kontinuerlig afløbsstrøm passer til lavstrømsstyringsfunktioner
• 500 mW maksimal effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouter
• VVGS-klassificeret til 20 V muliggør kompatibilitet med almindelige gate-drive-spændinger
• 0.65 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere omskiftning med lavere tab
• 600 Ω maksimal RDS(on) reducerer lækage i slukket tilstand i højspændingskredsløb
• 21 mA kontinuerlig afløbsstrøm passer til lavstrømsstyringsfunktioner
• 500 mW maksimal effekttab styrer termisk belastning i kompakte layouter
• VVGS-klassificeret til 20 V muliggør kompatibilitet med almindelige gate-drive-spændinger
Anvendelser
• Velegnet til topologier med højspændingseffektkonvertering
• Ideel til sensor i bilkvalitet og hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med kompakte koblingsregulatorer og flyback-trin
• Kan bruges til signaltranslation på gate-niveau i beskyttelseskredsløb
• Velegnet til strømstyringsmoduler med lille formfaktor
• Ideel til sensor i bilkvalitet og hjælpekredsløb
• Anvendes sammen med kompakte koblingsregulatorer og flyback-trin
• Kan bruges til signaltranslation på gate-niveau i beskyttelseskredsløb
• Velegnet til strømstyringsmoduler med lille formfaktor
Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printmontering?
Den leveres i en SOT-23-pakke, der er beregnet til overflademonteret placering og reflow-lodning.
Hvilke termiske ekstremer kan den modstå under drift?
Enheden er specificeret til drift mellem -55 °C og 150 °C og understøtter brede termiske udgange i barske miljøer.
Hvor mange elektriske forbindelser er tilgængelige til kredsløbsintegration?
Komponenten bruger en trebenet konfiguration, der er kompatibel med typiske diskrete MOSFET-layouts.
Er enheden kvalificeret til brug i biler?
Den opfylder AEC-Q101-standarden, hvilket angiver egnethed til elektronisk brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 110 mA 240 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 230 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 170 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS®