Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®
- RS-varenummer:
- 236-4398
- Producentens varenummer:
- BSS126IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 15,11
(ekskl. moms)
Kr. 18,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.290 enhed(er) afsendes fra 22. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 1,511 | Kr. 15,11 |
| 100 - 240 | Kr. 1,429 | Kr. 14,29 |
| 250 - 490 | Kr. 1,361 | Kr. 13,61 |
| 500 - 990 | Kr. 1,316 | Kr. 13,16 |
| 1000 + | Kr. 1,062 | Kr. 10,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 236-4398
- Producentens varenummer:
- BSS126IXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS® | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.5W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie SIPMOS® | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.5W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600V N-kanal MOSFET med lille signaludtømning er blyfri blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS og halogenfri i henhold til IEC61249-2-21. Fuldt kvalificeret i henhold til JEDEC til industrielle anvendelser. Den har et kvalifikationsniveau, der er i industristandard.
Høj systempålidelighed
Miljøvenlig
Plads på print og omkostningsbesparelse
dv/dt-klassificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS®
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 mA 60 V Udtømning SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 21 mA 600 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 350 mA 240 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 660 mA 200 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 mA 600 V Udtømning SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 200 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS