Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

RS-varenummer:: 236-4397
Producentens varenummer:: BSS126IXTSA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Udtømning, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS®

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 1.248,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.560,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 0,416	Kr. 1.248,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 236-4397
Producentens varenummer:: BSS126IXTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	21mA
	Drain source spænding maks. Vds	600V
	Serie	SIPMOS®
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	700Ω
	Kanalform	Udtømning
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.4nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	0.5W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	3mm
	Højde	1.1mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	1.4mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21mA
	Drain source spænding maks. Vds 600V
	Serie SIPMOS®
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 700Ω
	Kanalform Udtømning
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.4nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 0.5W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 3mm
	Højde 1.1mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 1.4mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - BSS126IXTSA1

Infineon SIPMOS® seriens MOSFET, 600 V maksimal drain source-spænding, 0,5 W maksimal effekttab - BSS126IXTSA1

Denne MOSFET er en transistor med lille signal, N-kanals udtømningstilstand, der er designet til overflademonteret elektronik, der kræver højspændingsswitching i kompakte fodaftryk. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er beregnet til anvendelser med lav strømstyrke, hvor en enhed med udtømningstilstand foretrækkes for at give normalt tændt adfærd og forenklet gate-styring.

Egenskaber og fordele:

• Maksimal drain-source-spænding 600 V muliggør højspændingsswitching
• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 21 mA understøtter kredsløb med lavt strømforbrug
• Maksimal drain-source-modstand på 700 Ω begrænser ledning i tændt tilstand
• Fremadgående spænding 1,2 V reducerer spændingsfald i drevne baner
• En typisk gate-opladning på 1,4 nC giver mulighed for en beskeden gate-drive-energi
• Maks. effekttab på 0,5 W passer til termiske rammebeløb med lav effekt

Anvendelser

• Velegnet til højspændingsbiasnetværk i analoge design
• Ideel til lavstrømsbeskyttelseskredsløb og udluftningsmodstande
• Anvendes sammen med småsignaldrivere, der kræver udtømningstilstand
• Kan bruges til strømstyring i sensorfrontender
• Velegnet til kompakte strømstyringsunderkredsløb i konvertere

Hvilket gate-spændingsområde kan anvendes sikkert?

Et gate-to-source-potentiale på op til 20 V er tilladt ved normal drift.

Hvilket termisk område tåler enheden under brug?

Den er normeret til drift mellem -55 °C og 150 °C til forskellige miljøer.

Hvordan er komponenten pakket til printkortmontering?

Den leveres i en SOT-23-pakke til overflademontering, der er velegnet til automatiseret placering.

Hvilken mekanisk indkapsling skal være tilladt på printkortets fodaftryk?

Pakken måler ca. 3 mm i længde, 1,4 mm i bredde og 1,1 mm i højde til planlægning af arealmønster.

Opfylder enheden klassificeringen i bilkvalitet?

Det er ikke specificeret som en komponent i bilstandarden og bør ikke antages at opfylde disse kriterier.