Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 753-3166
- Producentens varenummer:
- SPB80P06PGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 28,72
(ekskl. moms)
Kr. 35,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 28,72 |
| 10 - 24 | Kr. 26,40 |
| 25 - 49 | Kr. 24,68 |
| 50 - 99 | Kr. 22,96 |
| 100 + | Kr. 21,17 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 753-3166
- Producentens varenummer:
- SPB80P06PGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 115nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 115nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring iPB AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS P AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 260 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 190 mA 250 V Forbedring SOT-89, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 430 mA 250 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101