Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 165-6694
- Producentens varenummer:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 596,90
(ekskl. moms)
Kr. 746,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 + | Kr. 11,938 | Kr. 596,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 165-6694
- Producentens varenummer:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 270mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.96V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 270mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.96V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 4.57mm | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, SIPMOS
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101