Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 823-5560
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-485
- Producentens varenummer:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (5 enheder, i en pakke med 5)*
Kr. 120,65
(ekskl. moms)
Kr. 150,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 5 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 35 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 130 enhed(er) afsendes fra 14. oktober 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 24,13 | Kr. 120,65 |
| 50 - 120 | Kr. 21,722 | Kr. 108,61 |
| 125 - 245 | Kr. 20,286 | Kr. 101,43 |
| 250 - 495 | Kr. 18,834 | Kr. 94,17 |
| 500 + | Kr. 17,652 | Kr. 88,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-5560
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-44-485
- Producentens varenummer:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 270mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -0.96V | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 47nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 128W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bredde | 4.57mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie SIPMOS | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 270mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -0.96V | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 47nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 128W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bredde 4.57mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, SIPMOS
- Infineon Type P-Kanal 30 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 150 mA 60 V Forbedring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1 A 100 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 1.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
