Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIPMOS
- RS-varenummer:
- 914-0194
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-37-850
- Producentens varenummer:
- SPP80P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 155,28
(ekskl. moms)
Kr. 194,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 175 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 270 enhed(er) afsendes fra 29. juli 2026
- Plus 500 enhed(er) afsendes fra 13. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 31,056 | Kr. 155,28 |
| 25 - 45 | Kr. 27,946 | Kr. 139,73 |
| 50 + | Kr. 26,09 | Kr. 130,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 914-0194
- Elfa Distrelec varenummer:
- 304-37-850
- Producentens varenummer:
- SPP80P06PHXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 23mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 115nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 340W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.6V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.95mm | |
| Længde | 10.36mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 23mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 115nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 340W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.6V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.95mm | ||
Længde 10.36mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon SIPMOS® P-kanal MOSFET'er
Infineon SIPMOS® småsignal P-kanal MOSFET'er har flere funktioner, som kan omfatte forbedringstilstand, kontinuerlig aftapning-strøm nogle så lave som -80 A plus et bredt driftstemperaturområde. SIPMOS effekttransistor har mange anvendelser, herunder indenfor telekommunikation, eMobility, bærbare computere, DC/DC-enheder samt i bilindustrien.
· AEC Q101 Kvalificeret (se datablad)
· blyfri blybelægning, i overensstemmelse med RoHS
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, SIPMOS
- Infineon Type P-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 11.3 A 100 V Forbedring TO-220, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 620 mA 60 V Forbedring SC-59, SIPMOS
- Infineon Type P-Kanal 1.17 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 2.9 A 60 V Forbedring SOT-223, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 8.8 A 60 V Forbedring TO-252, SIPMOS AEC-Q101