Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, SIPMOS

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 155,28

(ekskl. moms)

Kr. 194,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 125 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 670 enhed(er) afsendes fra 28. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 31,056Kr. 155,28
25 - 45Kr. 27,946Kr. 139,73
50 +Kr. 26,09Kr. 130,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
914-0194
Elfa Distrelec varenummer:
304-37-850
Producentens varenummer:
SPP80P06PHXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

SIPMOS

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

23mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

-1.6V

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

340W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

115nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

15.95mm

Bredde

4.57mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.36mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon SIPMOS seriens MOSFET, 60 V maksimal drain source-spænding, 80 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SPP80P06PHXKSA1


Denne MOSFET er en effektomskiftningsenhed, der er designet til anvendelser med høj strømstyrke og høje temperaturer. Den fungerer som en p-kanalforstærkningstransistor i et TO-220-hus med gennemgående hul og er velegnet til strømkonverterings- og skifteopgaver, hvor der kræves en robust termisk tolerance. Komponenten understøtter gate-drevet styring for effektiv ledning og er beregnet til brug i systemer, der kræver en betydelig kontinuerlig afløbsstrøm og høje driftstemperaturer.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-klassificering muliggør mellemspændingskoblingsevne
• 80 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter høje strømbelastninger
• 23 mΩ lav Rds(on) minimerer ledningstab
• 115 nC typisk gate-ladning balancerer koblings- og drivenergi
• 340 W maks. effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• Vgs±20 V porttolerance giver mulighed for fleksible portdrevmargener

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i strømforsyninger
• Anvendes til synkron ensretning i serverforsyningsskinner
• Ideel til motordrevstrin, der kræver P-kanalswitching
• Kan bruges til batteribeskyttelse og belastningsafbryderkredsløb
• Velegnet til miljøer med termisk belastning op til 175 °C

Hvilket temperaturområde kan den modstå i drift?


Enheden er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i systemer med høje temperaturer.

Hvordan skal varmen styres, når den kører tæt på det maksimale tab?


For at håndtere 340 W-grænsen skal du tilslutte en passende køleelement til TO-220-fanen og sikre en tilstrækkelig luftstrøm for at reducere forbindelsestemperaturen.

Hvilke hensyn til gate-driver opstår der fra gate-ladeværdien?


Med en typisk gate-ladning på 115 nC skal drivere forsyne tilstrækkelig strøm til den ønskede skiftehastighed, samtidig med at der tages hensyn til øget drivenergi og potentielle skiftetab.

Hvordan påvirker enhedens polaritet valg af kredsløbstopologi?


Som en P-kanalforbedringsenhed anvendes den typisk på den høje side af strømbaner, hvor gate-spændingen kan trækkes lavere end kilden til tænding.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.