Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 11.3 A 100 V Forbedring, 6 Ben, SC-70, ThunderFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 200 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 753,20

(ekskl. moms)

Kr. 941,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 21. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
200 - 480Kr. 3,766
500 - 980Kr. 3,497
1000 - 1980Kr. 3,407
2000 +Kr. 3,325

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
818-1441P
Producentens varenummer:
SIA416DJ-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

11.3A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SC-70

Serie

ThunderFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

130mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

19W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.5nC

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

2.15mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.75mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

N-kanal MOSFET, medium spænding/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.