Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 110 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
- RS-varenummer:
- 820-8849
- Producentens varenummer:
- IRFB7540PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 68,67
(ekskl. moms)
Kr. 85,84
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 25 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 405 enhed(er) afsendes fra 30. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 13,734 | Kr. 68,67 |
| 25 - 45 | Kr. 13,076 | Kr. 65,38 |
| 50 - 120 | Kr. 11,744 | Kr. 58,72 |
| 125 - 245 | Kr. 10,576 | Kr. 52,88 |
| 250 + | Kr. 10,038 | Kr. 50,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 820-8849
- Producentens varenummer:
- IRFB7540PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 110A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 160W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 88nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 16.51mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 110A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 160W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 88nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 16.51mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon StrongIRFET serien er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Dette sortiment giver forbedret port-, lavine og dynamisk dv/dt robusthed, der er velegnet til industrielle lavfrekvensanvendelser, inklusive motorstyringer, el-værktøj, invertere og batteristyring, hvor ydelse og robusthed er afgørende.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 110 A 60 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 40 V Forbedring TO-220, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 172 A 60 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 240 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V Forbedring TO-247, StrongIRFET
- Infineon Type N-Kanal 195 A 60 V Forbedring TO-263, StrongIRFET