Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 610,35

(ekskl. moms)

Kr. 762,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 850 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 12,207Kr. 610,35
100 - 200Kr. 10,707Kr. 535,35
250 +Kr. 10,438Kr. 521,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9657
Producentens varenummer:
IRFB7530PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

195A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-220

Serie

StrongIRFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

375W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

274nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

16.51mm

Længde

10.67mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.83 mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon StrongIRFET Series MOSFET, 195A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 375W maksimal effektafledning - IRFB7530PBF


Denne N-kanal-MOSFET med høj strømstyrke er udviklet til en række effektanvendelser. Dens avancerede struktur giver mulighed for effektiv kobling og bemærkelsesværdig ydeevne i udfordrende miljøer, hvilket gør den velegnet til automations- og elektroniksektoren, hvor pålidelighed og robusthed er afgørende for effektiv funktion i elektriske kredsløb.

Egenskaber og fordele


• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 195A

• Bredt driftstemperaturområde fra -55°C til +175°C

• Forbedret holdbarhed med robust lavine- og dynamisk dV/dt-robusthed

• Fuldt karakteriseret kapacitans og lavine-SOA

• Blyfri og i overensstemmelse med RoHS-reglerne for miljøsikkerhed

Anvendelsesområder


• Bruges i børstet motordrev

• Velegnet til halv- og helbro-topologier

• Velegnet til synkron ensretter

• Ideel til batteridrevne kredsløb og DC/DC-omformere

• Engageret i AC/DC- og DC/AC-invertersystemer

Hvad er den maksimale gate-tærskelspænding for denne komponent?


Den maksimale gate-tærskelspænding er 3,7 V, hvilket muliggør effektiv drift i forskellige gate-drive-konfigurationer.

Kan denne MOSFET fungere i miljøer med høje temperaturer?


Ja, den fungerer effektivt inden for et temperaturområde på -55 °C til +175 °C, hvilket gør den velegnet til barske forhold.

Hvordan klarer denne MOSFET sig med hensyn til strømspild?


Det giver mulighed for en maksimal effektafledning på 375 W, hvilket sikrer pålidelig ydeevne under betydelige belastningsforhold.

Er den egnet til brug i både DC- og AC-applikationer?


Denne komponent er designet til alsidighed og giver effektiv ydelse i både DC/DC- og AC/DC-strømkonverteringsapplikationer.

Hvilke konsekvenser har dens lave RDS(on) for kredsløbsdesign?


En lav RDS(on) minimerer ledningstab, hvilket forbedrer den samlede systemeffektivitet og muliggør mindre kølelegemer og forbedret termisk ydeevne i kredsløbsdesign.

Relaterede links