DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 620 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SOT-563 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 822-2523P
- Producentens varenummer:
- DMG1029SV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 72,90
(ekskl. moms)
Kr. 91,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 28.100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 + | Kr. 1,458 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-2523P
- Producentens varenummer:
- DMG1029SV-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 620mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-563 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.3nC | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | |
| Højde | 0.6mm | |
| Længde | 1.7mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 620mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-563 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.3nC | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0 | ||
Højde 0.6mm | ||
Længde 1.7mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN