DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 3.4 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT AEC-Q101 DMG6602SVT-7
- RS-varenummer:
- 822-2532
- Producentens varenummer:
- DMG6602SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 206,60
(ekskl. moms)
Kr. 258,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 75.600 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | Kr. 2,066 | Kr. 206,60 |
| 600 - 1400 | Kr. 2,013 | Kr. 201,30 |
| 1500 + | Kr. 1,963 | Kr. 196,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-2532
- Producentens varenummer:
- DMG6602SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.27W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Længde | 2.9mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.27W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Længde 2.9mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101 DMG6601LVT-7
- DiodesZetex 2 Type N Effekt MOSFET 6 Ben, TSOT AEC-Q101 DMC2038LVT-7
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 30 V Forbedring TSOT, DMN3061 Nej
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 30 V Forbedring TSOT, DMN3061 Nej DMN3061SVT-7
- DiodesZetex Type P-Kanal 5.5 A 20 V Forbedring TSOT, DMP2040UVT AEC-Q101