DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.4 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMN3061 Nej DMN3061SVT-7
- RS-varenummer:
- 206-0083
- Producentens varenummer:
- DMN3061SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 54,95
(ekskl. moms)
Kr. 68,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.475 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 2,198 | Kr. 54,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0083
- Producentens varenummer:
- DMN3061SVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Serie | DMN3061 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 200mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.08W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Serie DMN3061 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 200mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.08W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,88 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 3 6 ben DMN3061 DMN3061SVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 3 6 ben, TSOT-26 DMG6602SVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 20 V TSOT-26 DMN2024UVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 6 ben, TSOT-26 DMG6402LVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben, TSOT-26 DMN4060SVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 6 ben DMN DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex DMN61D8LVT-7 630 mA 6 Ben, TSOT-26
- DiodesZetex P-Kanal 5 6 ben, TSOT-26 DMP2040UVT-7