DiodesZetex 1 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.4 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMN3061

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 54,95

(ekskl. moms)

Kr. 68,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.475 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 +Kr. 2,198Kr. 54,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-0083
Producentens varenummer:
DMN3061SVT-7
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

3.4A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Emballagetype

TSOT

Serie

DMN3061

Monteringstype

Overflade

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

200mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

3.5nC

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.08W

Gennemgangsspænding Vf

0.7V

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

No

Længde

2.9mm

Bredde

1.6mm

Højde

0.9mm

Antal elementer per chip

1

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
DiodesZetex 30V dobbelt N-kanal-forbedringstilstand MOSFET er designet til at minimere modstand i tændt tilstand, men samtidig opretholde en overlegen skifteydelse, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyring. Dens gate-source-spænding er 20 V med 0,88 W termisk effekttab.

Lav indgangskapacitet

Hurtig koblingshastighed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.