DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.6 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT, DMC3060 Nej DMC3060LVT-7
- RS-varenummer:
- 206-0061
- Producentens varenummer:
- DMC3060LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 51,70
(ekskl. moms)
Kr. 64,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.075 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 + | Kr. 2,068 | Kr. 51,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 206-0061
- Producentens varenummer:
- DMC3060LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Serie | DMC3060 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 150mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 12 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.16W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 5.6nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.6 mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Serie DMC3060 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 150mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 12 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.16W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 5.6nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.6 mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
DiodesZetex 30 V komplementær par-forstærkningstilstanden MOSFET er designet til at minimere modstand i tilstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektiv strømstyringsanvendelse. Dens gate-source-spænding er 12 V med 0,83 W termisk effekttab.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 3 6 ben DMC3060 DMC3060LVT-7
- DiodesZetex P-Kanal 2 6 ben DMP3164 DMP3164LVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 A5 A 30 V TSOT-26 DMG6601LVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 5 6 ben, TSOT-26 DMC2038LVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 A3 A 20 V TSOT-26 DMC2057UVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 3 6 ben, TSOT-26 DMG6602SVT-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 4 3 6 ben, TSOT-26 DMC3071LVT-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 6 ben, TSOT-26 DMG6402LVT-7
