DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT
- RS-varenummer:
- 182-6878
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.052,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.565,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,684 | Kr. 2.052,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6878
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(on)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT Nej DMC3071LVT-7
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101 DMN2053UVTQ-7
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT Nej
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT Nej DMC2057UVT-7
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC3060 Nej
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 2.8 A 30 V Forbedring TSOT, DMP3164 Nej
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC3060 Nej DMC3060LVT-7
