DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT
- RS-varenummer:
- 182-6878
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 2.052,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.565,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 19. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 0,684 | Kr. 2.052,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-6878
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Længde | 3mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Længde 3mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(on)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 4.6 A 20 V Forbedring TSOT-26, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 2.8 A 30 V Forbedring TSOT, DMP3164
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC3060
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 30 V Forbedring TSOT, DMN3061
- DiodesZetex Type N MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, US
