DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT
- RS-varenummer:
- 182-7079
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 110,00
(ekskl. moms)
Kr. 138,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 200 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | Kr. 1,10 | Kr. 110,00 |
| 200 - 400 | Kr. 0,962 | Kr. 96,20 |
| 500 - 900 | Kr. 0,771 | Kr. 77,10 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,699 | Kr. 69,90 |
| 2000 + | Kr. 0,642 | Kr. 64,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7079
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 0.9mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Længde 3mm | ||
Højde 0.9mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(on)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 2.8 A 30 V Forbedring TSOT, DMP3164
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben DMC3060
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 3.4 A 30 V Forbedring TSOT, DMN3061
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, US
- DiodesZetex Type N MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex Type P-Kanal 5.5 A 20 V Forbedring TSOT, DMP2040UVT AEC-Q101