DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, US Nej DMC2710UDWQ-7
- RS-varenummer:
- 246-7498
- Producentens varenummer:
- DMC2710UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 34,10
(ekskl. moms)
Kr. 42,625
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.825 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,364 | Kr. 34,10 |
| 50 - 75 | Kr. 1,344 | Kr. 33,60 |
| 100 - 225 | Kr. 0,987 | Kr. 24,68 |
| 250 - 975 | Kr. 0,964 | Kr. 24,10 |
| 1000 + | Kr. 0,936 | Kr. 23,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7498
- Producentens varenummer:
- DMC2710UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.38W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±6 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.7nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.38W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±6 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.7nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex udgør en komplementær forstærkningstilstand for par MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SOT363 hus og 0,6mm profil, hvilket gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 20 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 6 V den har en ultralille husstørrelse dens termisk effektive pakke muliggør produkter med højere tæthed
Relaterede links
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 600 mA 6 ben, SOT-363 DMC2710UDWQ-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 430 mA 6 ben, SOT-363 DMC2004DWK-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 550 mA 6 ben DMC3401 DMC3401LDW-7
- onsemi N/P-Kanal-Kanal 600 mA 6 ben, SOT-363 FDG6332C
- DiodesZetex P-Kanal 550 mA 30 V SOT-363 DMP31D7LDWQ-7
- DiodesZetex P-Kanal 550 mA 30 V SOT-363, DMP31 DMP31D7LDW-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 1 A 6 ben, SOT-363 DMG1016UDW-7
- onsemi N-Kanal 750 mA 30 V SOT-363, PowerTrench FDG8850NZ
