DiodesZetex 2 Type N-Kanal, MOSFET 20 V Forbedring, 6 Ben, US
- RS-varenummer:
- 246-7513
- Producentens varenummer:
- DMN2710UDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 33,20
(ekskl. moms)
Kr. 41,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.750 enhed(er) afsendes fra 20. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,328 | Kr. 33,20 |
| 50 - 75 | Kr. 1,304 | Kr. 32,60 |
| 100 - 225 | Kr. 0,958 | Kr. 23,95 |
| 250 - 975 | Kr. 0,94 | Kr. 23,50 |
| 1000 + | Kr. 0,916 | Kr. 22,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7513
- Producentens varenummer:
- DMN2710UDW-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.75Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 6 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.36W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.75Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 6 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.36W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SOT363-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Den maksimale drain-til-kilde spænding er 20 V, og den maksimale gate-til-kilde spænding er ± 6 V, den har en ultralille husstørrelse, den har lav indgangs-/udgangslækage
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal 6 Ben, US
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 Ben, US
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, US
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 250 mA 30 V Forbedring US, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt 1 A 30 V Forbedring US, DMN3190LDWQ AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 6 Ben, US
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben DMC3401 AEC-Q200
- DiodesZetex Type N-Kanal Dobbelt 261 mA 60 V Forbedring US AEC-Q101, AEC-Q100
