DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal, MOSFET, 4.6 A 20 V Forbedring, 6 Ben, US
- RS-varenummer:
- 246-6770
- Producentens varenummer:
- DMC2710UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Kan ikke leveres i øjeblikket
Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 246-6770
- Producentens varenummer:
- DMC2710UDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.38W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.38W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
DiodesZetex udgør en komplementær forstærkningstilstand for par MOSFET, der er designet til at minimere modstand i tændt tilstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SOT363 hus og 0,6mm profil, hvilket gør den ideel til applikationer med lav profil. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse.
Maksimal afløbsspænding til kildespænding er 20 V maksimal gate-til-kilde spænding er ± 6 V den har en ultralille husstørrelse dens termisk effektive pakke muliggør produkter med højere tæthed
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, US
- DiodesZetex Type N MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben, TSOT
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 6 Ben, UDFN-2020
- DiodesZetex 2 Type P-Kanal Dobbelt 6 Ben, US
- DiodesZetex 2 Type N-Kanal 6 Ben, US
- onsemi 2 Type N Type P MOSFET 6 Ben, US
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 6 Ben DMC3401 AEC-Q200