DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 822-8641
- Producentens varenummer:
- 2N7002E-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 150 enheder)*
Kr. 43,05
(ekskl. moms)
Kr. 53,85
(inkl. moms)
Tilføj 2100 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 600 enhed(er) afsendes fra 16. februar 2026
- Plus 16.050 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | Kr. 0,287 | Kr. 43,05 |
| 750 - 1350 | Kr. 0,265 | Kr. 39,75 |
| 1500 - 3600 | Kr. 0,248 | Kr. 37,20 |
| 3750 - 7350 | Kr. 0,229 | Kr. 34,35 |
| 7500 + | Kr. 0,21 | Kr. 31,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 822-8641
- Producentens varenummer:
- 2N7002E-7-F
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 300mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 540mW | |
| Portkildespænding maks. | 40 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.22nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 300mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 540mW | ||
Portkildespænding maks. 40 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.22nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V til 90 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 292 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 380 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 220 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002
- DiodesZetex Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SC-89, 2N7002 AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 115 mA 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q200, AEC-Q101
