DiodesZetex 2 Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 540 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, SM AEC-Q101 DMN2004DMK-7
- RS-varenummer:
- 823-2927
- Producentens varenummer:
- DMN2004DMK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 62,825
(ekskl. moms)
Kr. 78,525
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 125 | Kr. 2,513 | Kr. 62,83 |
| 150 - 725 | Kr. 1,436 | Kr. 35,90 |
| 750 - 1475 | Kr. 1,28 | Kr. 32,00 |
| 1500 + | Kr. 1,254 | Kr. 31,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 823-2927
- Producentens varenummer:
- DMN2004DMK-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 540mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SM | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 900mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 225mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.4V | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Driftstemperatur maks. | -65°C | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Længde | 3.1mm | |
| Højde | 1.3mm | |
| Bredde | 1.7 mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 540mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SM | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 900mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 225mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.4V | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Driftstemperatur maks. -65°C | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Længde 3.1mm | ||
Højde 1.3mm | ||
Bredde 1.7 mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Dobbelt N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 540 mA 20 V SOT-26 DMN2004DMK-7
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 430 mA 6 ben, SOT-363 DMC2004DWK-7
- DiodesZetex N-Kanal 580 mA 60 V SOT-26 DMN601DMK-7
- DiodesZetex N-Kanal 600 mA 20 V SOT-23 DMN2005K-7
- DiodesZetex N-Kanal 500 mA 50 V SOT-23 BSN20-7
- DiodesZetex N-Kanal 300 mA 60 V SOT-323 DMN601WK-7
- DiodesZetex N-Kanal 300 mA 50 V SOT-23 DMN53D0U-7
- DiodesZetex N-Kanal 630 mA 20 V SOT-23 DMN2004K-7
