Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 40,99

(ekskl. moms)

Kr. 51,238

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
2 +Kr. 20,495

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
825-9235P
Producentens varenummer:
IPB027N10N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

155nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.