ROHM N-Kanal, MOSFET, 6 A 600 V, 3 ben, TO-220FM R6006ANX

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

6 A

Drain source spænding maks.

600 V

Kapslingstype

TO-220FM

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks.

1,2 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

4.5V

Effektafsættelse maks.

40 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-30 V, +30 V

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

Si

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Længde

10.3mm

Gate-ladning ved Vgs typisk

15 nC ved 10 V

Bredde

4.8mm

Højde

15.4mm