ROHM Type P-Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Forbedring, 3 Ben, TUMT, RRF015P03
- RS-varenummer:
- 826-7731
- Producentens varenummer:
- RRF015P03TL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 30 enheder)*
Kr. 54,60
(ekskl. moms)
Kr. 68,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | Kr. 1,82 | Kr. 54,60 |
| 300 - 720 | Kr. 1,666 | Kr. 49,98 |
| 750 - 1470 | Kr. 1,621 | Kr. 48,63 |
| 1500 - 2970 | Kr. 1,581 | Kr. 47,43 |
| 3000 + | Kr. 1,543 | Kr. 46,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-7731
- Producentens varenummer:
- RRF015P03TL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TUMT | |
| Serie | RRF015P03 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 230mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.4nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 800mW | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.1mm | |
| Bredde | 1.8 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TUMT | ||
Serie RRF015P03 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 230mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.4nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 800mW | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.1mm | ||
Bredde 1.8 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
P-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 4 6 ben, TUMT RAL045P01TCR
- ROHM P-Kanal 2 A 12 V TUMT RZF020P01TL
- ROHM Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SC-96, RRR015P03 Nej
- ROHM Type P-Kanal 1.5 A 30 V Forbedring SC-96, RRR015P03 Nej RQ5E015RPTL
- ROHM N-Kanal 1 3 ben, TUMT RSF014N03TL
- ROHM N-Kanal 3 6 ben, TUMT RTL035N03TR
- ROHM Type P-Kanal 1.5 A 60 V Forbedring SC-96, RQ5L015SP Nej RQ5L015SPTL
- ROHM N-Kanal 2 3 ben, TUMT RUF025N02TL
