Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 1.2 A 100 V Forbedring, 4 Ben, SOT-223, OptiMOS AEC-Q101

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 96,95

(ekskl. moms)

Kr. 121,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
50 +Kr. 1,939

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
826-9260P
Producentens varenummer:
BSP296NH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

1.2A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

OptiMOS

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

800mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.8W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

0.85V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.5mm

Højde

1.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™ småsignals MOSFETs


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.